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FQB4N80TM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB4N80TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB4N80TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB4N80TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 800V 3.9A(Tc) 3.13W(Ta),130W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载FQB4N80TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB4N80TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB4N80TM 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号的主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS) FQB4N80TM 的高电压耐受能力(800V 额定击穿电压)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用,例如 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动 由于其低导通电阻(Rds(on) = 0.95 Ω,典型值)和快速开关特性,FQB4N80TM 可以高效地用于电机驱动电路中,控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,这款 MOSFET 可作为开关元件,实现直流到交流的转换。 4. 电子负载保护 该器件适用于过流保护和负载开关应用,能够提供可靠的保护功能,同时减少功率损耗。 5. 家电和工业设备 FQB4N80TM 广泛应用于家用电器(如洗衣机、空调等)和工业设备中,用于控制高电压和高电流负载。 6. 照明系统 在 LED 照明或 HID(高强度气体放电灯)应用中,FQB4N80TM 可用于驱动电路,确保高效的功率转换和稳定的灯光输出。 7. 汽车电子 尽管 FQB4N80TM 不是专门的车规级产品,但在某些非关键车载应用中,它也可以用作开关元件,例如电动窗、座椅调节等。 总之,FQB4N80TM 凭借其高电压耐受性、低导通电阻和良好的开关性能,适用于多种需要高效功率转换和控制的应用场景。在选择具体应用时,需根据实际电路需求评估其电气参数是否满足要求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAKMOSFET 800V N-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 3.9 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB4N80TMQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQB4N80TM |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 3.13 W |
Pd-功率耗散 | 3.13 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.6 Ohms |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 45 ns |
下降时间 | 35 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 880pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.6 欧姆 @ 1.95A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-263-2 |
其它名称 | FQB4N80TMDKR |
典型关闭延迟时间 | 35 ns |
功率-最大值 | 3.13W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 1.312 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 3.6 Ohms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 3.8 S |
汲极/源极击穿电压 | 800 V |
漏极连续电流 | 3.9 A |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.9A (Tc) |
系列 | FQB4N80 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |