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  • 型号: FQB4N80TM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQB4N80TM产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQB4N80TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB4N80TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB4N80TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 800V 3.9A(Tc) 3.13W(Ta),130W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载FQB4N80TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB4N80TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQB4N80TM 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号的主要应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS)  
   FQB4N80TM 的高电压耐受能力(800V 额定击穿电压)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用,例如 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器。

2. 电机驱动  
   由于其低导通电阻(Rds(on) = 0.95 Ω,典型值)和快速开关特性,FQB4N80TM 可以高效地用于电机驱动电路中,控制电机的启动、停止和速度调节。

3. 逆变器  
   在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,这款 MOSFET 可作为开关元件,实现直流到交流的转换。

4. 电子负载保护  
   该器件适用于过流保护和负载开关应用,能够提供可靠的保护功能,同时减少功率损耗。

5. 家电和工业设备  
   FQB4N80TM 广泛应用于家用电器(如洗衣机、空调等)和工业设备中,用于控制高电压和高电流负载。

6. 照明系统  
   在 LED 照明或 HID(高强度气体放电灯)应用中,FQB4N80TM 可用于驱动电路,确保高效的功率转换和稳定的灯光输出。

7. 汽车电子  
   尽管 FQB4N80TM 不是专门的车规级产品,但在某些非关键车载应用中,它也可以用作开关元件,例如电动窗、座椅调节等。

总之,FQB4N80TM 凭借其高电压耐受性、低导通电阻和良好的开关性能,适用于多种需要高效功率转换和控制的应用场景。在选择具体应用时,需根据实际电路需求评估其电气参数是否满足要求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAKMOSFET 800V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

3.9 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB4N80TMQFET®

数据手册

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产品型号

FQB4N80TM

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

3.13 W

Pd-功率耗散

3.13 W

RdsOn-漏源导通电阻

3.6 Ohms

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

45 ns

下降时间

35 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

880pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

25nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.6 欧姆 @ 1.95A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263-2

其它名称

FQB4N80TMDKR

典型关闭延迟时间

35 ns

功率-最大值

3.13W

包装

Digi-Reel®

单位重量

1.312 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

3.6 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

3.8 S

汲极/源极击穿电压

800 V

漏极连续电流

3.9 A

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.9A (Tc)

系列

FQB4N80

通道模式

Enhancement

配置

Single

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