ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BSS138LT1G
Datasheet下载- 型号： BSS138LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS138LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS138LT1G价格参考￥0.11-￥0.15。ON SemiconductorBSS138LT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 50V 200mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载BSS138LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS138LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSS1338LT1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于小信号MOSFET，广泛应用于低电压、低功耗的开关和信号切换场景。由于其封装小巧（SOT-23）、导通电阻低、开关速度快，适合在便携式电子设备和高密度电路板中使用。 典型应用场景包括： 1. 电平转换电路：常用于I²C、UART等数字通信接口中，实现不同电压逻辑（如1.8V与3.3V或5V系统）之间的双向电平转换。 2. 电源管理开关：作为负载开关控制电源通断，用于电池供电设备中以降低待机功耗。 3. 信号路由与多路复用：在模拟或数字信号路径中作为电子开关，替代机械开关，提高可靠性。 4. 驱动小功率负载：如LED指示灯、继电器或小型传感器的驱动控制。 5. 消费类电子产品：广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、智能家居模块等对空间和功耗敏感的设备中。 BSS138LT1G具有良好的热稳定性和可靠性，工作温度范围宽（-55°C 至 150°C），符合工业级应用要求。同时，该器件为无铅环保型号，符合RoHS标准，适用于现代绿色电子产品设计。因其性价比高、性能稳定，成为许多嵌入式系统和电源管理方案中的常用元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23MOSFET 50V 200mA N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor BSS138LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSS138LT1G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.225 W |
| Pd-功率耗散 | 225 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 欧姆 @ 200mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | BSS138LT1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 0.225 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3.5 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.1 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 50 V |
| 漏极连续电流 | 200 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 200mA （Ta） |
| 系列 | BSS138L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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