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Datasheet下载- 型号： NDS355AN
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDS355AN由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDS355AN价格参考￥0.48-￥0.48。Fairchild SemiconductorNDS355AN封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 1.7A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3。您可以下载NDS355AN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDS355AN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDS355AN 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：NDS355AN 常用于各种电源管理系统中，例如 DC-DC 转换器、线性稳压器和开关模式电源（SMPS）。它能够高效地控制电流流动，减少能量损耗，提高系统的整体效率。 2. 电池充电与保护电路：在便携式设备如智能手机、平板电脑和其他移动设备中，NDS355AN 可用于电池充电电路，实现对电池充放电过程的精确控制。此外，它还可以作为过流保护元件，防止电池过充或过放，确保设备安全运行。 3. 电机驱动：该 MOSFET 适合用于小型直流电机的驱动电路，如玩具、家用电器和工业自动化设备中的电机控制系统。它可以提供足够的电流驱动能力，并且具备良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内稳定工作。 4. 信号切换与逻辑电平转换：NDS355AN 可用作信号切换元件，在数字电路中实现高低电平之间的转换。例如，在通信接口、传感器信号处理等领域，它可以有效地隔离不同电压域之间的信号传输，避免干扰和损坏敏感电路。 5. 负载开关：在需要频繁开启和关闭负载的应用场景下，NDS355AN 可以作为一个高效的负载开关使用。它能够快速响应控制信号，实现对负载电流的精确控制，同时保持较低的功耗。 总之，NDS355AN 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域，为各类电路设计提供了可靠的选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor NDS355AN- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDS355AN |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 85 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 85 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 32 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 195pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 1.9A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 其它名称 | NDS355ANDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SSOT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A （Ta） |
| 系列 | NDS355 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | NDS355AN_NL |
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