ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列 > BAT54TW-7-F
Datasheet下载- 型号： BAT54TW-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BAT54TW-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BAT54TW-7-F价格参考￥0.74-￥0.74。Diodes Inc.BAT54TW-7-F封装/规格：二极管 - 整流器 - 阵列， Diode Array 3 Independent Schottky 30V 200mA (DC) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363。您可以下载BAT54TW-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BAT54TW-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BAT54TW-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款二极管阵列，属于二极管 - 整流器 - 阵列类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 信号保护 - BAT54TW-7-F 常用于保护电子电路中的信号线免受静电放电（ESD）和瞬态电压的影响。其低电容特性使其非常适合高速信号线路的保护。 - 应用示例：USB 接口、HDMI 接口、以太网端口等高速数据传输接口的 ESD 保护。 2. 电源管理 - 作为整流器阵列，BAT54TW-7-F 可用于小型电源管理模块中，例如将交流信号转换为直流信号。 - 应用示例：便携式设备充电电路、电池管理系统中的整流功能。 3. 逻辑电平转换 - 该器件可以用于不同电压逻辑电平之间的转换，特别是在需要隔离或保护的场景中。 - 应用示例：微控制器与外围设备之间的信号电平匹配。 4. 高频开关应用 - 由于其快速开关特性和低正向电压降，BAT54TW-7-F 适合高频开关电路。 - 应用示例：无线通信模块中的射频开关、音频电路中的信号切换。 5. 汽车电子 - 在汽车电子领域，该器件可用于保护车载系统免受电压波动和瞬态干扰。 - 应用示例：车载信息娱乐系统、传感器信号保护。 6. 消费类电子产品 - 广泛应用于各种消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备。 - 应用示例：触摸屏控制器保护、无线充电模块中的整流功能。 特性总结： - 封装：采用紧凑的 SOT-363 封装，适合空间受限的设计。 - 低正向电压：有助于减少功耗。 - 快速恢复时间：适用于高频应用。 - 高可靠性：适合工业和汽车级应用。 总之，BAT54TW-7-F 凭借其高性能和可靠性，广泛应用于需要信号保护、整流和逻辑电平转换的各类电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT363肖特基二极管与整流器 30V 200mW |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Diodes Incorporated BAT54TW-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BAT54TW-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 25V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 3 个独立式 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | BAT54TW-FDIDKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | 5ns |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 峰值反向电压 | 30 V |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 5 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 2 uA at 25 V |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 1 V at 0.1 A |
| 正向连续电流 | 0.2 A |
| 热阻 | 625°C/W Ja |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 30V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 200mA（DC） |
| 系列 | BAT54T |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 配置 | Triple Parallel |
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