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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB25N120FLWG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB25N120FLWG价格参考。ON SemiconductorNGTB25N120FLWG封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 192W Through Hole TO-247。您可以下载NGTB25N120FLWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NGTB25N120FLWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NGTB25N120FLWG是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于超结功率MOSFET(Ultrafast Recovery Trench MOSFET,简称UGBT)。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 开关电源(SMPS) - NGTB25N120FLWG适用于各种开关电源设计,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。它具有低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压(1200V)和快速开关特性,能够高效地处理高压和高频切换需求。 - 常用于适配器、充电器以及工业电源中。 2. 电机驱动 - 该器件可用于驱动中小型电机,例如家用电器中的风扇电机、水泵电机或电动工具电机。其高效的开关特性和耐高压能力使其在电机控制电路中表现优异。 - 特别适合需要频繁启停或调速的应用场景。 3. 太阳能逆变器 - 在光伏系统中,NGTB25N120FLWG可用于太阳能逆变器的核心电路,将直流电转换为交流电。其高效率和低损耗特性有助于提高整个系统的能源转换效率。 4. 不间断电源(UPS) - 该MOSFET可用于UPS系统的逆变电路和电池管理模块中,确保在市电中断时提供稳定可靠的备用电源输出。 5. 电动汽车(EV)与混合动力汽车(HEV) - 虽然这款MOSFET并非专为车载应用设计,但在一些低功率电动车或辅助电路中仍可发挥作用,例如电池管理系统(BMS)、车载充电器(OBC)等。 6. 工业自动化 - 在工业领域,这款MOSFET可用于PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器和其他工业设备中的开关电路,以实现精确的电流控制和快速响应。 7. LED驱动器 - 对于大功率LED照明应用,NGTB25N120FLWG可以作为开关元件,用于恒流或恒压驱动电路,确保LED灯具的稳定工作。 总结 NGTB25N120FLWG凭借其高耐压(1200V)、低导通电阻(典型值2.5Ω@10V Vgs)和快速恢复特性,非常适合高压、高频、高效率的应用场景。无论是消费电子、工业设备还是新能源领域,这款MOSFET都能发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 91ns/228ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 200A |
| 描述 | IGBT 1200V 25A TO247-3 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 220nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NGTB25N120FLWG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 1.5mJ (开), 950µJ (关) |
| TestCondition | 600V,25A,10 欧姆,15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V,25A |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 192W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 240ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 50A |
| 输入类型 | 标准 |