ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQD7P20TM_F080
Datasheet下载- 型号： FQD7P20TM_F080
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD7P20TM_F080由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD7P20TM_F080价格参考。Fairchild SemiconductorFQD7P20TM_F080封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 200V 5.7A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD7P20TM_F080参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD7P20TM_F080 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD7P20TM_F085是安森美（ON Semiconductor）生产的一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），常用于电源管理和开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）和同步整流电路，尤其在笔记本电脑、主板和显卡等设备中用于高效能电源转换。 2. 负载开关：作为高端或低端开关控制电源通断，广泛应用于便携式设备如智能手机、平板电脑和移动电源中，实现低功耗待机与系统节能。 3. 电机驱动与继电器驱动：在小型电机控制或电磁继电器驱动电路中，用于信号隔离与功率切换，常见于家电、工业控制模块中。 4. 电池供电设备：因其较低的导通电阻（Rds(on)）和良好的开关特性，适合用于电池供电系统，提升能效并延长续航时间。 5. 热插拔保护电路：可用于防止带电插拔时的电流冲击，保护系统免受损坏。 该器件采用紧凑型封装（如DPAK或类似），适合高密度PCB布局，工作温度范围宽，可靠性高，适用于消费电子、工业控制及部分汽车电子辅助系统。其快速开关响应和低栅极电荷特性，有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD7P20TM_F080 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 770pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 690 毫欧 @ 2.85A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.7A （Tc） |
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