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  • 型号: FZT851TA
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FZT851TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FZT851TA价格参考。Diodes Inc.FZT851TA封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 6A 130MHz 3W 表面贴装 SOT-223。您可以下载FZT851TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FZT851TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FZT851TA是Diodes Incorporated生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),主要应用于中等电流和开关电路场景。该器件采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度贴装的便携式电子设备。

典型应用场景包括:  
1. 开关电路:FZT851TA具有较高的直流电流增益和快速开关特性,常用于LED驱动、继电器控制、电源管理等开关应用中,能够高效地控制负载通断。  
2. 信号放大:在低频模拟信号处理电路中,可用于小信号放大,如音频前置放大或传感器信号调理。  
3. 逻辑电平转换:在数字电路中,作为电平移位器,实现不同电压逻辑系统之间的接口匹配。  
4. 便携设备:因其小型封装和低功耗特性,广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的电源切换与控制模块。  

FZT851TA具有最大600mA集电极电流和50V集射极击穿电压,具备良好的热稳定性和可靠性,工作温度范围为-55°C至+150°C,适应严苛环境。其高性价比和稳定性能使其成为工业控制、家用电器和通信设备中常用的通用晶体管之一。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 60V 6000MA SOT-223两极晶体管 - BJT NPN High Current

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FZT851TA-

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产品型号

FZT851TA

PCN其它

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

375mV @ 300mA,6A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 2A,1V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-223

其它名称

FZT851TR

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223

工厂包装数量

1000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

3 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

6 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

6A

电流-集电极截止(最大值)

-

系列

FZT851

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

60 V

集电极—基极电压VCBO

150 V

集电极连续电流

6 A

频率-跃迁

130MHz

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