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SIA415DJ-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA415DJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA415DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA415DJ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 单。您可以下载SIA415DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA415DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIA415DJ-T1-GE3是一款N沟道功率MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理 - 开关电源(SMPS):该MOSFET适用于各种开关模式电源设计,如适配器、充电器和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性可以有效降低功耗,提高效率。 - 负载开关:在便携式设备中,SIA415DJ-T1-GE3可以用作负载开关,控制电路的供电状态,实现快速开启和关闭。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于消费电子、家用电器中的小型电机驱动,例如风扇、泵或玩具电机。 - H桥电路:在需要双向控制的电机应用中,这款MOSFET可以作为H桥的一部分,用于正反转控制。 3. 电池管理系统 - 电池保护:在锂电池或可充电电池组中,该MOSFET可用于过流保护、短路保护以及防止反向电流的功能。 - 电量监测:通过精确控制电流流动,支持电池电量的实时监测和管理。 4. 信号切换 - 高速信号切换:由于其较低的栅极电荷和快速开关速度,SIA415DJ-T1-GE3适合用于高频信号切换场景,例如音频信号处理或数据通信接口。 5. 汽车电子 - 车身控制模块:在汽车电子系统中,该MOSFET可用于控制车灯、雨刷、座椅调节等功能。 - 辅助电源:为车载信息娱乐系统、导航设备等提供稳定的电源输出。 6. 工业自动化 - 传感器接口:用于工业传感器的电源管理和信号切换,确保高效运行。 - 继电器替代:在某些低电压、低电流的应用中,可以用MOSFET代替传统机械继电器,以减少磨损并提高可靠性。 总结 SIA415DJ-T1-GE3凭借其优异的电气性能(如低Rds(on)、高耐压、快速开关能力),广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子及通信设备等领域。其紧凑的封装形式(TO-252/DPAK)也使其非常适合空间受限的设计环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6MOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?69512 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA415DJ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIA415DJ-T1-GE3SIA415DJ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 19 W |
| Pd-功率耗散 | 19 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1250pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 47nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 5.6A,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
| 其它名称 | SIA415DJ-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 19W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Vishay/SC70.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
| 系列 | SIA4xxDJ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIA415DJ-GE3 |