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SI7629DN-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7629DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7629DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7629DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7629DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7629DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7629DN-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用领域: 1. 电源管理 - 直流-直流转换器 (DC-DC Converters):SI7629DN-T1-GE3 可用于降压或升压转换器中的功率开关,提供高效的电压调节。 - 负载开关 (Load Switches):在便携式设备中用作负载开关,控制电路的通断以节省电能。 - 电池管理系统 (BMS):用于保护电池组免受过流、短路或反向电流的影响。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于消费电子产品中的小型电机驱动,如风扇、泵或玩具电机。 - H桥和半桥电路:作为 H 桥或半桥电路的一部分,用于双向电机控制。 3. 工业应用 - 固态继电器 (SSR):替代传统机械继电器,实现更可靠和更快的开关操作。 - 逆变器和变频器:用于工业自动化设备中的逆变器和变频器,控制交流电机的速度和方向。 4. 消费电子 - 笔记本电脑和智能手机充电器:用于高效电源适配器和快速充电器的设计。 - USB 电源传输 (USB-PD):支持 USB-PD 协议的充电和供电系统,提供灵活的电压和电流配置。 5. 汽车电子 - 车载电子设备:用于汽车音响、导航系统等低功耗设备的电源管理。 - LED 照明驱动:为汽车内外 LED 灯提供稳定的电流驱动。 6. 信号切换 - 音频信号切换:在多输入音频系统中,用于切换不同的信号源。 - 数据线路保护:保护数据接口免受静电放电 (ESD) 和过压冲击。 SI7629DN-T1-GE3 的低导通电阻和紧凑封装使其非常适合需要高效率和小尺寸的应用场景。同时,其出色的热性能和可靠性也确保了其在各种严苛环境下的稳定运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAKMOSFET 20V 35A 52W |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 35 A |
Id-连续漏极电流 | - 35 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7629DN-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI7629DN-T1-GE3SI7629DN-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 52 W |
Pd-功率耗散 | 52 W |
Qg-GateCharge | 118 nC |
Qg-栅极电荷 | 118 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.5 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5790pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 177nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.6 毫欧 @ 20A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
其它名称 | SI7629DN-T1-GE3DKR |
功率-最大值 | 52W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 64 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 35A (Tc) |
配置 | Single |
零件号别名 | SI7629DN-GE3 |