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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSH103,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSH103,215价格参考¥0.51-¥0.51。NXP SemiconductorsBSH103,215封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 850mA(Ta) 540mW(Ta) TO-236AB。您可以下载BSH103,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSH103,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BSH103,215 是一款N沟道MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于各类电子设备中。该器件具有低导通电阻、小封装尺寸和高开关效率等特点,适用于空间受限且对能效要求较高的场景。 主要应用场景包括:便携式电子产品(如智能手机、平板电脑和可穿戴设备)中的电源管理与负载开关,用于控制电池供电路径或模块供电启停;消费类电子设备(如机顶盒、路由器、电视等)中的信号切换和电源开关电路;工业控制领域的小功率电机驱动或继电器驱动电路;以及各类低压直流系统中的电平转换和隔离开关。 此外,BSH103,215 因其良好的热稳定性和可靠性,也常用于LED驱动电路中作为开关元件,实现对LED灯组的高效控制。其SOT-23小封装形式适合高密度PCB布局,便于实现紧凑型设计。总体而言,该MOSFET适用于工作电压不高(通常在20V以内)、电流较小(几百毫安级)的开关应用场合,是现代低功耗、高集成度电子系统中的常用元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23MOSFET N-CH 30V 0.85A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 850 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSH103,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSH103,215 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 3.5 ns |
| 下降时间 | 3.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 400mV @ 1mA (最小) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 83pF @ 24V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 400 毫欧 @ 500mA,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-5013-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 540mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 500 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 850 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 850mA (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | BSH103 T/R |