Datasheet下载- 型号： ZXMP10A17E6TA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMP10A17E6TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMP10A17E6TA价格参考￥1.55-￥1.94。Diodes Inc.ZXMP10A17E6TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMP10A17E6TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMP10A17E6TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated生产的ZXMP10A17E6TA是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于各种电子设备中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理：该器件适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和负载开关等应用。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够有效减少功率损耗，提高电源效率。 2. 电池保护与管理：可用于锂电池或可充电电池组的充放电保护电路中，作为开关元件控制电流流动，防止过充、过放或短路。 3. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动电路中，该MOSFET可用作驱动开关，实现对电机速度和方向的精准控制。 4. 信号切换：用于音频、视频或其他信号路径中的切换功能，确保信号传输的稳定性和可靠性。 5. 背光驱动：在LED背光驱动电路中，该器件可以用来调节LED电流，从而控制显示器亮度。 6. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的电源管理模块，提供高效的电源转换和保护功能。 7. 工业自动化：在工业控制领域，可用于继电器替代、传感器接口以及各类工业级开关电路。 8. 通信设备：在网络路由器、交换机和其他通信设备中，用作电源管理和信号处理的关键组件。 ZXMP10A17E6TA凭借其优异的电气性能和紧凑封装设计，非常适合需要高效率、小尺寸解决方案的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6MOSFET 100V P-Chanl UMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 1.6 A |
| Id-连续漏极电流 | - 1.6 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMP10A17E6TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMP10A17E6TA |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.7 W |
| Pd-功率耗散 | 1.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 450 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 450 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 3.5 ns |
| 下降时间 | 7.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 424pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.1nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 350 毫欧 @ 1.4A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 其它名称 | ZXMP10A17E6TR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 13.4 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SOT-23-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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