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ZXMN3A04DN8TA产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN3A04DN8TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN3A04DN8TA价格参考。Diodes Inc.ZXMN3A04DN8TA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 6.5A 1.81W 表面贴装 8-SO。您可以下载ZXMN3A04DN8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMN3A04DN8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN3A04DN8TA 是由 Diodes Incorporated 生产的晶体管 - FET,MOSFET - 阵列。该型号的应用场景非常广泛,主要适用于需要高效、低功耗和紧凑设计的电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: - ZXMN3A04DN8TA 适用于各种电源管理系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器等。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高转换效率。 - 在电池供电设备中,该器件可以有效延长电池寿命。 2. 电机控制: - 用于小型电机驱动和控制电路,如步进电机、直流无刷电机(BLDC)等。其快速开关特性和低导通电阻使得电机运行更加平稳和高效。 - 适合应用于家用电器、电动工具和工业自动化设备中的电机控制模块。 3. 负载切换: - 在需要频繁切换负载的应用中,如汽车电子系统、智能家居控制器等,ZXMN3A04DN8TA 可以实现快速且可靠的负载切换。 - 其低栅极电荷(Qg)特性有助于减少开关损耗,提高系统的响应速度。 4. 信号调理: - 用于信号调理电路,如传感器接口、模拟信号放大器等。其低噪声和高线性度特性有助于提高信号质量。 - 在通信设备和音频处理电路中,该器件可以提供稳定的信号传输和处理能力。 5. 保护电路: - 适用于过流保护、短路保护等安全电路。其内置的保护机制(如热关断、过流限制等)可以在异常情况下保护电路免受损坏。 - 在便携式电子产品和消费类设备中,该器件可以提供可靠的安全保障。 6. 消费电子: - 广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中,作为电源管理单元、负载开关和信号调理电路的关键组件。 - 其小尺寸封装(如 SOT-23 等)使其非常适合空间受限的应用场合。 总之,ZXMN3A04DN8TA 凭借其优异的性能和广泛的适用性,成为许多现代电子设备中不可或缺的关键元件。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOICMOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8.5 A |
Id-连续漏极电流 | 8.5 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8TA- |
数据手册 | |
产品型号 | ZXMN3A04DN8TA |
Pd-PowerDissipation | 2.15 W |
Pd-功率耗散 | 2.15 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 6.1 ns |
下降时间 | 20.2 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA (最小) |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1890pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36.8nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 12.6A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | ZXMN3A04DN8DKR |
典型关闭延迟时间 | 38.1 ns |
功率-最大值 | 1.81W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.5A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual Dual Drain |