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IRF9910TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9910TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9910TRPBF价格参考。International RectifierIRF9910TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 10A,12A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF9910TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9910TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRF9910TRPBF的器件是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于FET阵列类别。该产品主要应用于需要高效功率控制和转换的电子系统中。 典型的应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等,提供高效的电压调节和能量转换功能。 2. 电机驱动:适用于直流电机或步进电机的控制电路,实现对电机速度与方向的精确控制。 3. 电池管理系统(BMS):在电动工具、电动车及储能系统中,用于电池充放电控制与保护。 4. 负载开关:作为高侧或低侧开关,控制大电流负载的通断,如LED照明、加热元件等。 5. 工业自动化:在PLC、工业逆变器和伺服控制系统中,作为关键的功率开关元件。 该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,适合在高可靠性要求的工业与汽车环境中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9910TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9910TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.55V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.3 毫欧 @ 12A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | *IRF9910TRPBF |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 18.3 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A,12A |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |