Datasheet下载- 型号： IRF7307PBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7307PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7307PBF价格参考。International RectifierIRF7307PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7307PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7307PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7307PBF是由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款晶体管，属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）阵列类别。该型号具有双N沟道和P沟道MOSFET组合的特点，适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： IRF7307PBF常用于电源管理电路中，例如降压、升压或反相DC-DC转换器。由于其包含一个N沟道和一个P沟道MOSFET，非常适合用作同步整流器中的高侧和低侧开关，以提高效率并降低功耗。 2. 电机驱动： 在小型电机驱动应用中，IRF7307PBF可以作为H桥电路的核心元件，用于控制直流电机的正转、反转和制动。其双MOSFET结构简化了电路设计，并提供了高效的开关性能。 3. 负载切换： 该器件可用于负载切换应用，例如在便携式设备中动态管理电池供电或USB接口供电。通过快速切换负载状态，可以保护电路免受过载或短路的影响。 4. 信号切换与隔离： 在需要高速信号切换的应用中，IRF7307PBF能够提供低导通电阻（Rds(on)）和快速开关速度，确保信号传输的高效性和稳定性。 5. 消费电子设备： 该型号广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，用于充电管理、电池保护和外围设备接口控制。 6. 工业控制： 在工业自动化领域，IRF7307PBF可用于控制继电器、电磁阀或其他低功率执行器，提供可靠的开关功能。 总之，IRF7307PBF凭借其双MOSFET设计、低导通电阻和出色的开关性能，成为电源管理、电机驱动和信号切换等应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N+P 20V 4.3A 8-SOICMOSFET 20V DUAL N / P CH 12V VGS MAX |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7307PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7307PBF |
| Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
| Pd-功率耗散 | 1.4 W |
| Qg-GateCharge | 13.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 42 ns, 26 ns |
| 下降时间 | 51 ns, 33 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 2.6A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns, 51 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.2A，4.3A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
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