Datasheet下载- 型号： NVMFD5877NLT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVMFD5877NLT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMFD5877NLT1G价格参考。ON SemiconductorNVMFD5877NLT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVMFD5877NLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVMFD5877NLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVMFD5877NLT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款MOSFET阵列器件，属于功率MOSFET集成电路。其应用场景主要包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路，用于高效能电源管理系统，提高能量转换效率。 2. 电机控制：用于直流电机驱动、步进电机控制等场合，提供快速开关和低导通电阻，提升电机运行效率。 3. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携式电子产品，用于电池充放电管理和电源切换。 4. 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）、工业传感器和执行器驱动电路中广泛应用，提供可靠和高效的功率控制。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明驱动、电动助力转向系统（EPS）等汽车应用，满足汽车级工作温度和可靠性要求。 该器件采用小型封装，具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能，适用于对空间和效率要求较高的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 17A 8SOICMOSFET 16-128MHZ3.3VGPEMI |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVMFD5877NLT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NVMFD5877NLT1G |
| Pd-PowerDissipation | 23 W |
| Pd-功率耗散 | 23 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 540pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 39 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-DFN（5x6） |
| 功率-最大值 | 3.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | DFN-8 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A |
| 系列 | NVMFD5877NL |
| 配置 | Dual |
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