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Datasheet下载- 型号： BSS123W-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS123W-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS123W-7-F价格参考￥0.31-￥0.31。Diodes Inc.BSS123W-7-F封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323。您可以下载BSS123W-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS123W-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的BSS123W-7-F是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于多种电子设备中。该型号的主要应用场景包括： 1. 电源管理 BSS123W-7-F常用于低功耗、小信号的电源管理电路中，如手机、平板电脑和其他便携式电子设备的充电电路。它可以在低压环境下提供高效的开关性能，帮助实现稳定的电压输出和电流控制。 2. 信号切换 在音频设备、通信设备等需要进行信号切换的场合，BSS123W-7-F可以作为开关元件使用。由于其低导通电阻和快速开关特性，能够有效地在不同信号路径之间进行切换，确保信号传输的稳定性和准确性。 3. 电池保护 在锂电池管理系统中，BSS123W-7-F可以用于过充、过放、过流等保护电路。通过检测电池电压和电流的变化，MOSFET可以在异常情况下迅速切断电路，防止电池损坏或发生危险。 4. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，BSS123W-7-F可以用作驱动信号的开关元件。例如，在智能家居设备中的直流电机控制、玩具车的电机驱动等场景下，它可以精确地控制电机的启动、停止和转速。 5. 传感器接口 在物联网（IoT）设备中，BSS123W-7-F可以用于传感器与主控芯片之间的接口电路。它可以帮助实现传感器信号的放大、隔离和传输，确保传感器数据的准确采集和处理。 6. 负载开关 在消费类电子产品中，BSS123W-7-F可以用作负载开关，控制外围设备的供电状态。例如，在USB接口的电源管理中，MOSFET可以根据需求动态开启或关闭电源，节省能源并提高系统的响应速度。 总结 BSS123W-7-F凭借其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，适用于多种低功耗、小信号的应用场景，尤其在便携式电子设备、电源管理和信号切换等领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3MOSFET 100V 200mW |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 170 mA |
| Id-连续漏极电流 | 170 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated BSS123W-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSS123W-7-F |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.2 W |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 欧姆 @ 170mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | BSS123W-FDIDKR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.08 S, 0.37 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 170mA （Ta） |
| 系列 | BSS123 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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