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- 型号： ZXMN20B28KTC
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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ZXMN20B28KTC产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN20B28KTC由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN20B28KTC价格参考。Diodes Inc.ZXMN20B28KTC封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 1.5A（Ta） 2.2W（Ta） TO-252-3。您可以下载ZXMN20B28KTC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN20B28KTC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAKMOSFET ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.3 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN20B28KTC- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN20B28KTC |
| PCN其它 | |
| Pd-PowerDissipation | 4.3 W |
| Pd-功率耗散 | 4.3 W |
| Qg-GateCharge | 8.1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8.1 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 750 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 750 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| 上升时间 | 76.9 ns |
| 下降时间 | 57.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 358pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.1nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 750 毫欧 @ 2.75A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 其它名称 | ZXMN20B28KTCDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 44.7 ns |
| 功率-最大值 | 2.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 6.13 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
