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  • 型号: 2V7002LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2V7002LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2V7002LT1G价格参考。ON Semiconductor2V7002LT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Tc) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)。您可以下载2V7002LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2V7002LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23-3MOSFET NFET 60V 115MA 7.5O

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

115 mA

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 2V7002LT1G-

数据手册

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产品型号

2V7002LT1G

Pd-PowerDissipation

300 mW

Pd-功率耗散

300 mW

RdsOn-漏源导通电阻

7.5 Ohms

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1 V to 2.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1 V to 2.5 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

50pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.5 欧姆 @ 500mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

2V7002LT1GOSCT

典型关闭延迟时间

40 ns

功率-最大值

300mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

7.5 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

80 mS

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

115 mA

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

115mA(Tc)

系列

2N7002L

配置

Single

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