ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRL520NSPBF
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Datasheet下载- 型号： IRL520NSPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL520NSPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL520NSPBF价格参考。International RectifierIRL520NSPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK。您可以下载IRL520NSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL520NSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRL520NSPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该MOSFET适用于各种开关电源和直流-直流转换器，如笔记本电脑、服务器和其他消费电子设备中的电源模块。它能够高效地进行电压转换和电流控制，确保稳定的电力供应。 2. 电机驱动：在电动工具、家用电器（如吸尘器、洗衣机等）以及小型工业自动化系统中，IRL520NSPBF可以用于驱动电机。它具备较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功耗并提高效率。 3. 电池管理系统：对于便携式电子产品（如智能手机、平板电脑及可穿戴设备）中的电池保护电路，此MOSFET能实现快速响应和精确控制，防止过充、过放或短路等情况发生。 4. 负载切换与保护：在网络通信设备、汽车电子系统等领域，它可以作为负载开关使用，以实现对不同负载的有效管理和保护。例如，在汽车启动时切断某些非关键系统的供电，或者在网络交换机中隔离故障端口。 5. 音频放大器：在一些高保真音响设备里，MOSFET可用于构建高效的功率输出级，提供纯净的声音输出而不产生过多热量。 6. 太阳能逆变器：随着清洁能源的发展，这款MOSFET也广泛应用于光伏系统的最大功率点跟踪（MPPT）控制器和逆变器中，帮助优化能量转换过程。 总之，IRL520NSPBF凭借其优良的电气特性，如低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，成为众多领域内不可或缺的关键组件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 180mOhms 13.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL520NSPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRL520NSPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 3.8 W |
| Qg-GateCharge | 13.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.3 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRL520NSPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 180 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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