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STY112N65M5产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STY112N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STY112N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTY112N65M5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 650V 96A(Tc) 625W(Tc) MAX247™。您可以下载STY112N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STY112N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STY112N65M5是一款N沟道增强型MOSFET,其应用场景广泛,尤其适合需要高电压和低导通电阻的场合。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS): STY112N65M5具有650V的击穿电压和低导通电阻(Rds(on)),非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它能够高效地处理高压输入,并在功率转换过程中减少能量损耗。 2. 逆变器和电机驱动: 该MOSFET可用于太阳能逆变器、UPS系统以及工业电机驱动中。其高耐压特性和快速开关能力使其能够在这些应用中提供稳定的性能。 3. DC-DC转换器: 在DC-DC转换器中,STY112N65M5可以作为主开关或同步整流元件使用,以提高效率并降低热耗散。 4. 负载开关和保护电路: 它可以用于各种负载开关应用,例如服务器、通信设备和其他需要精确电流控制的系统中。此外,还可以用作过流保护和短路保护电路中的关键元件。 5. 电动车和混合动力车(EV/HEV): 在电动车和混合动力车中,这款MOSFET可用于车载充电器、电池管理系统(BMS)以及牵引逆变器等组件中,支持高效的电力传输和管理。 6. 家电和消费电子: 包括空调、洗衣机、冰箱等家用电器在内的产品也可以采用此MOSFET来实现更高效的能源利用和更好的性能表现。 总之,STY112N65M5凭借其出色的电气参数和可靠性,成为众多电力电子应用的理想选择,尤其是在需要高效率和高可靠性的场景下。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 93A MAX247MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 96 A |
| Id-连续漏极电流 | 96 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STY112N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STY112N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 625 W |
| Pd-功率耗散 | 625 W |
| Qg-GateCharge | 350 nC |
| Qg-栅极电荷 | 350 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 710 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 710 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 16870pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 350nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 47A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | MAX-247 |
| 其它名称 | 497-11236-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF221204?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 625W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | MAX247™ |
| 封装/箱体 | Max247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/st/mdmeshv.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 96A (Tc) |
| 系列 | STY112N65M5 |
| 配置 | Single |