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Datasheet下载- 型号： SI2316BDS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2316BDS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2316BDS-T1-GE3价格参考。VishaySI2316BDS-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 4.5A（Tc） 1.25W（Ta），1.66W（Tc） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载SI2316BDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2316BDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2316BDS-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于多种高效能电源管理应用。以下是其主要应用场景： 1. DC-DC转换器 SI2316BDS-T1-GE3 适合用于降压、升压或升降压 DC-DC 转换器中的功率开关。其低导通电阻有助于减少传导损耗，提高转换效率，特别适用于便携式设备、消费电子和通信设备中的电源管理模块。 2. 负载开关 该器件可以作为高效的负载开关，用于控制电路中不同负载的通断。由于其低导通电阻，开关过程中的功耗极低，能够有效延长电池寿命，广泛应用于智能手机、平板电脑等便携式设备中。 3. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，如无人机、电动工具、家用电器等，SI2316BDS-T1-GE3 可以用作电机控制电路中的功率开关，提供精确的电流控制和保护功能，确保电机运行稳定且高效。 4. 电池管理系统 (BMS) 在电池管理系统中，MOSFET 用于电池充放电的控制与保护。SI2316BDS-T1-GE3 的低导通电阻和快速响应特性使其成为电池管理系统中理想的开关元件，能够有效防止过流、短路等故障，保障电池的安全性和使用寿命。 5. USB Type-C 和 PD 控制 随着 USB Type-C 和 Power Delivery (PD) 技术的普及，SI2316BDS-T1-GE3 可用于实现高速数据传输和大功率充电的控制。其快速开关特性和低导通电阻有助于提高充电效率，同时确保数据传输的稳定性。 6. LED 驱动 在 LED 照明系统中，MOSFET 用于调节电流以控制亮度和颜色。SI2316BDS-T1-GE3 的低导通电阻和高效率使得它非常适合用于 LED 驱动电路，特别是在需要频繁调光的应用中。 总之，SI2316BDS-T1-GE3 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于各种电源管理和信号处理领域，尤其适用于对效率和功耗有严格要求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3MOSFET 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 3.9 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?70445 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2316BDS-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2316BDS-T1-GE3SI2316BDS-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 ns, 65 ns |
| 下降时间 | 11 ns, 65 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 3.9A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2316BDS-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns, 11 ns |
| 功率-最大值 | 1.66W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 50 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 3.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2316BDS-GE3 |
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