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Datasheet下载- 型号： SIS862DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS862DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS862DN-T1-GE3价格参考￥3.00-￥3.00。VishaySIS862DN-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 40A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8。您可以下载SIS862DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIS862DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIS862DN-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于各种电源管理和信号切换场景。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理： - DC-DC 转换器：在开关电源中，SIS862DN-T1-GE3 可以用作功率开关，帮助实现高效的电压转换。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高转换效率。 - 电池管理系统 (BMS)：用于控制电池充放电回路的通断，确保电池的安全和稳定运行。 2. 电机驱动： - 无刷直流电机 (BLDC) 和 步进电机：作为电机驱动电路中的功率开关，SIS862DN-T1-GE3 可以精确控制电机的转速和方向，适用于消费电子、工业自动化等领域。 3. 负载开关： - 便携式设备：如智能手机、平板电脑等，SIS862DN-T1-GE3 可用于快速切换负载，保护电路免受过流、短路等故障的影响，同时降低待机功耗。 4. 通信设备： - 基站和路由器：在通信基础设施中，MOSFET 用于电源分配和信号隔离，确保系统的稳定性和可靠性。 5. 汽车电子： - 车身控制模块 (BCM) 和 电动助力转向 (EPS)：SIS862DN-T1-GE3 具有良好的温度特性和抗干扰能力，适用于汽车环境下的复杂工况，确保系统安全可靠。 6. 工业控制： - 可编程逻辑控制器 (PLC) 和 变频器：在工业自动化领域，MOSFET 用于控制电机、传感器和其他执行机构，实现高效、精准的操作。 总之，SIS862DN-T1-GE3 凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种需要高效开关和功率管理的应用场合，特别是在对效率和可靠性要求较高的领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 40A 1212MOSFET 60V 8.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS862DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIS862DN-T1-GE3SIS862DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 52 W |
| Pd-功率耗散 | 52 W |
| Qg-GateCharge | 8.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.5 V to 2.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.5 V to 2.6 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1320pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SIS862DN-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 60 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 系列 | SISxxxDN |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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