Datasheet下载- 型号： SSU1N50BTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSU1N50BTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSU1N50BTU价格参考。Fairchild SemiconductorSSU1N50BTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSU1N50BTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSU1N50BTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSU1N50BTU是安森美（ON Semiconductor）生产的一款高压N沟道MOSFET，属于单MOSFET晶体管，常用于高效率、高电压的电源转换应用。该器件具有500V的漏源击穿电压和较高的开关性能，适用于需要高效能和可靠性的电力电子系统。 其典型应用场景包括：开关电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、LED照明驱动电源、工业电源模块以及待机电源电路等。由于其具备低导通电阻（RDS(on)）和优化的栅极电荷特性，有助于降低开关损耗，提高整体能效，特别适合在节能型电源设计中使用。 此外，SSU1N50BTU采用TO-263（D²PAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能，可在较宽温度范围内稳定工作，因此也广泛应用于对空间和散热有要求的紧凑型工业与消费类电子产品中。 综上所述，SSU1N50BTU主要应用于中高功率开关电源系统，尤其适合追求高效率、高可靠性及小型化的电源设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 1.3A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SSU1N50BTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.3 欧姆 @ 650mA，10V |
| 供应商器件封装 | IPAK （TO-251） |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 标准包装 | 5,040 |
| 漏源极电压(Vdss) | 520V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.3A （Tc） |
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