Datasheet下载- 型号： NTD5413NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD5413NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD5413NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD5413NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD5413NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD5413NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD5413NT4G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET器件。该器件广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景。 典型应用场景包括：电源管理电路，如DC-DC转换器、电压调节模块（VRM），适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的低电压高效率电源系统；电池供电设备中的负载开关和电源切换，例如便携式仪器、移动终端和物联网设备；电机驱动电路，用于小型直流电机或步进电机的控制；LED驱动电路，实现恒流调光与开关控制；以及各类消费类电子产品中的开关电源（SMPS）和热插拔电路。 NTD5413NT4G具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优异的热稳定性，采用SOT-223封装，便于散热和紧凑布局，适合对空间和能效要求较高的设计。其100V的漏源击穿电压使其在中高压应用中具备良好可靠性。 综上，该MOSFET适用于中等功率、高效率、高可靠性的电子系统，尤其适合工业控制、消费电子、通信电源和便携式设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 30A DPAKMOSFET 30A, 60V, 26mOhms N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD5413NT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD5413NT4G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 68 W |
| Pd-功率耗散 | 68 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1725pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 28 ns |
| 功率-最大值 | 68W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 36 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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