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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFX80N60P3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFX80N60P3价格参考。IXYSIXFX80N60P3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFX80N60P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFX80N60P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFX80N60P3是一款高压、大电流的N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管器件。该型号具有600V的漏源击穿电压和高达80A的连续漏极电流能力,导通电阻低,开关速度快,具备良好的热稳定性和可靠性。 IXFX80N60P3广泛应用于高功率、高效率的电力电子系统中。典型应用场景包括:工业电机驱动、开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、逆变器(如太阳能逆变器和变频器)、电焊机设备以及感应加热系统等。其高耐压和大电流特性使其特别适合在直流母线电压较高的系统中进行高效开关操作。 此外,该器件采用先进的沟槽栅技术,优化了开关损耗与导通损耗之间的平衡,有助于提升整体系统能效。内置的快速体二极管也增强了其在感性负载应用中的可靠性。封装形式通常为TO-247,便于安装散热器,适用于高温工作环境。 综上所述,IXFX80N60P3适用于需要高耐压、大电流和高可靠性的工业级电源与功率控制场合,是中高功率电力转换系统的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFX80N60P3Polar3™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFX80N60P3 |
| Pd-PowerDissipation | 1300 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 kW |
| Qg-GateCharge | 190 nC |
| Qg-栅极电荷 | 190 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 70 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 70 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 190nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 70 毫欧 @ 500mA,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
| 功率-最大值 | 1300W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 70 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | PLUS 247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 90 S, 55 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 80 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |
| 系列 | IXFX80N60 |
| 配置 | Single |