【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FQA8N100C】封装/厂家_FQA8N100C中文资料_价格

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型号： FQA8N100C
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FQA8N100C产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQA8N100C由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA8N100C价格参考￥22.92-￥22.92。Fairchild SemiconductorFQA8N100C封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 1000V 8A（Tc） 225W（Tc） TO-3PN。您可以下载FQA8N100C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQA8N100C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3PMOSFET 1000V N-Channe MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	8 A
Id-连续漏极电流	8 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQA8N100CQFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FQA8N100C
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	225 W
Pd-功率耗散	225 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	1.45 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	1.45 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	1 kV
Vds-漏源极击穿电压	1 kV
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
上升时间	95 ns
下降时间	80 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	3220pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	70nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1.45 欧姆 @ 4A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-3PN
其它名称	FQA8N100C-ND FQA8N100CFS
典型关闭延迟时间	122 ns
功率-最大值	225W
包装	管件
单位重量	6.401 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
封装/箱体	TO-3PN-3
工厂包装数量	30
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	30
正向跨导-最小值	8 S
漏源极电压(Vdss)	1000V（1kV）
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	8A （Tc）
系列	FQA8N100C
通道模式	Enhancement
配置	Single