Datasheet下载- 型号： IRL3303LPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL3303LPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL3303LPBF价格参考。International RectifierIRL3303LPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRL3303LPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL3303LPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）旗下的型号为IRL3303LPBF的MOSFET，属于低电压、逻辑电平驱动的N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效能与低导通电阻（Rds(on)）的场景。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器等，因其低导通电阻可降低导通损耗，提高电源效率。 2. 电机控制：常用于直流电机或步进电机的驱动电路中，支持快速开关操作，有助于实现精确的速度和扭矩控制。 3. 负载开关：在电池供电设备中作为高侧或低侧开关使用，具有较高的可靠性和较低的功耗。 4. 逆变器和H桥电路：适用于小型逆变器系统或机器人控制系统中的功率切换应用。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、移动电源、LED照明系统等，因其封装小巧、驱动电压兼容逻辑电平，适合嵌入式设计。 6. 工业自动化设备：在PLC、传感器模块及自动控制系统中作为高频开关元件使用。 总结而言，IRL3303LPBF凭借其高性能和易用性，在中低功率开关应用中表现出色，是电源管理和功率控制领域的常用器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 38A TO-262MOSFET MOSFT 30V 38A 26mOhm 17.3nC LogLvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 38 A |
| Id-连续漏极电流 | 38 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL3303LPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRL3303LPBF |
| Pd-PowerDissipation | 68 W |
| Pd-功率耗散 | 68 W |
| Qg-GateCharge | 17.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 870pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 其它名称 | *IRL3303LPBF |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38A （Tc） |
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