Datasheet下载- 型号： IXFK55N50
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK55N50由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK55N50价格参考。IXYSIXFK55N50封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFK55N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFK55N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFK55N50是一款N沟道增强型功率MOSFET，具有高耐压、大电流特性，广泛应用于需要高效功率转换与控制的场景。该器件的漏源电压（VDS）可达500V，连续漏极电流（ID）为55A，适合高功率密度设计。 主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器等，IXFK55N50因其高效率和快速开关特性，适用于高频功率转换电路。 2. 电机驱动系统：用于工业自动化、伺服驱动器、变频器等电机控制电路中，作为功率开关元件，实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，作为核心开关元件，将直流电转换为交流电，供负载使用。 4. 工业控制与自动化设备：用于工业PLC、继电器替代、负载开关等控制电路中，提供高可靠性和长寿命的开关功能。 5. 电动汽车与充电设备：可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）中的功率控制模块，满足高电压、大电流的应用需求。 该MOSFET采用TO-247封装，便于散热和安装，适用于高功率应用环境。在设计中需注意良好的散热管理和驱动电路设计，以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AAMOSFET 500V 55A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 55 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFK55N50HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFK55N50 |
| Pd-PowerDissipation | 560 W |
| Pd-功率耗散 | 560 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 45 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 330nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 27.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-264AA （IXFK） |
| 典型关闭延迟时间 | 120 ns |
| 功率-最大值 | 625W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 10 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 90 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 45 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 55 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 55A （Tc） |
| 系列 | IXFK55N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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