ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI2305CDS-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI2305CDS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2305CDS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2305CDS-T1-GE3价格参考。VishaySI2305CDS-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 8V 5.8A（Tc） 960mW（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载SI2305CDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2305CDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2305CDS-T1-GE3 是一款N沟道增强型MOSFET，属于表面贴装的小型功率晶体管，广泛应用于便携式电子设备和高密度电路设计中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）及负载开关电路中，实现高效电能转换与分配，适用于笔记本电脑、平板和移动电源等设备。 2. 电池供电设备：因其低导通电阻（Rds(on)）和低阈值电压，适合在智能手机、可穿戴设备和物联网终端中作为开关元件，有助于降低功耗，延长电池续航时间。 3. 电机驱动与LED驱动：可用于小型直流电机控制或白光LED背光驱动电路，提供快速开关响应和良好热稳定性。 4. 信号切换与逻辑控制：在模拟开关、继电器替代和数字逻辑电路中用作电子开关，实现信号通断控制。 5. 过流保护与热插拔电路：配合控制电路用于防止浪涌电流，保护系统免受损坏。 SI2305CDS-T1-GE3采用SOT-23封装，体积小巧，便于集成于空间受限的PCB布局中，同时具备良好的热性能和可靠性，适用于工业控制、消费电子和通信设备等多种领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3MOSFET 8.0V 5.8A 1.7W 35mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.4 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix Si2305CDS-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2305CDS-T1-GE3Si2305CDS-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 960 mW |
| Pd-功率耗散 | 960 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 28 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 28 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 8 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 960pF @ 4V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2305CDS-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.8A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2305CDS-GE3 |
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