ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFR4615PBF
/IRFR4615PBF.jpg)
Datasheet下载- 型号： IRFR4615PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR4615PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR4615PBF价格参考。International RectifierIRFR4615PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 150V 33A（Tc） 144W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR4615PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR4615PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR4615PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其主要应用场景包括但不限于以下几种： 1. 电源管理 IRFR4615PBF常用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）和电池充电器。它能够高效地控制电流的通断，降低能耗并提高系统的整体效率。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，特别适合需要高能效的应用。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，IRFR4615PBF可以作为驱动电路的一部分，用于控制电机的启停、转速和方向。例如，在电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇等）以及汽车电子系统中的小型电机驱动中，该MOSFET能够提供稳定的电流控制，确保电机运行平稳且高效。 3. 消费电子产品 IRFR4615PBF广泛应用于消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。这些设备通常需要高效的电源管理和信号切换功能，而MOSFET的快速开关特性和低功耗特点使其成为理想选择。此外，它还可以用于USB充电接口的保护电路，防止过流和短路等问题。 4. 工业自动化 在工业自动化领域，IRFR4615PBF可用于控制各种传感器、执行器和通信模块的电源供应。它能够在复杂的工业环境中提供可靠的开关性能，支持长时间稳定运行。例如，在工厂自动化控制系统中，MOSFET可以用于控制气动或液压系统的电磁阀，实现精确的动作控制。 5. 照明系统 在LED照明系统中，IRFR4615PBF可以用于调光电路和恒流驱动电路。通过调节MOSFET的栅极电压，可以实现对LED亮度的精确控制，同时保持电流的稳定性，延长LED的使用寿命。 总之，IRFR4615PBF凭借其出色的电气性能和可靠性，适用于多种需要高效开关和电流控制的应用场景，特别是在对能效和稳定性要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 33A D-PAKMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 26nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
| Id-连续漏极电流 | 33 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR4615PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR4615PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 144 W |
| Pd-功率耗散 | 144 W |
| Qg-GateCharge | 26 nC |
| Qg-栅极电荷 | 26 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 34 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 34 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1750pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 42 毫欧 @ 21A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 144W |
| 功率耗散 | 144 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 34 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 26 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | 150 V |
| 漏极连续电流 | 33 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
