ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDMS8670AS
Datasheet下载- 型号： FDMS8670AS
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS8670AS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS8670AS价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS8670AS封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） 8-PQFN（5x6）。您可以下载FDMS8670AS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMS8670AS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMS8670AS 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 FDMS8670AS 常用于 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）和电池充电器等应用中。其低 Rds(on) 和高效率特性使其非常适合在这些场景下作为功率开关或同步整流器件，以减少能量损耗并提高系统效率。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。凭借其快速开关能力和低导通损耗，能够高效控制电机的速度和方向，同时保持较低的工作温度。 3. 负载开关 在消费电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中，FDMS8670AS 可作为负载开关使用，用于动态管理不同电路模块的供电状态，从而降低功耗并延长电池寿命。 4. 电池保护 该器件适用于锂离子电池组的过流保护和短路保护电路。通过快速响应电流变化，它可以有效防止电池因过载而损坏。 5. 汽车电子 FDMS8670AS 的高可靠性和耐热性使其适合汽车环境中的各种应用，例如车身控制模块、LED 照明驱动和辅助电源系统。它能够在宽温度范围内稳定工作，满足严苛的车载要求。 6. 工业自动化 在工业领域，该 MOSFET 可用于可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口和伺服控制系统中，提供高效的信号切换和功率传输功能。 总之，FDMS8670AS 凭借其卓越的电气特性和紧凑的封装形式，广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域，为现代电力系统的设计提供了高性能解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 23A POWER56MOSFET 30V N-Channel PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 23 A |
| Id-连续漏极电流 | 23 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS8670ASPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMS8670AS |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3615pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 55nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 毫欧 @ 23A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Power56 |
| 其它名称 | FDMS8670ASDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PQFN，Power56 |
| 封装/箱体 | Power 56-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 23A （Ta）， 42A （Tc） |
| 系列 | FDMS8670 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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