Datasheet下载- 型号： DMN2600UFB-7
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2600UFB-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2600UFB-7价格参考。Diodes Inc.DMN2600UFB-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN2600UFB-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2600UFB-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated生产的DMN2600UFB-7是一款N沟道增强型MOSFET，其应用场景广泛适用于各种低电压、低功耗的电子设备。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理： DMN2600UFB-7适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和负载开关等应用。由于其低导通电阻（Rds(on)），能够高效地控制电流流动，减少功率损耗。 2. 电池供电设备： 该MOSFET适合用于便携式设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网（IoT）设备中的电池管理电路。它的低静态电流特性有助于延长电池寿命。 3. 电机驱动： 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，DMN2600UFB-7可以用作开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。 4. 信号切换： 该器件可用于音频信号切换、数据线路切换等场景，提供快速且可靠的信号传输。 5. 保护电路： DMN2600UFB-7可以用于过流保护、短路保护和反向电池保护等电路设计中，确保系统在异常情况下仍能安全运行。 6. 消费类电子产品： 包括USB充电器、蓝牙音箱、智能家电等产品中，这款MOSFET可用于功率控制和电平转换。 总之，DMN2600UFB-7凭借其小封装尺寸（MicroFET® UFB）、低导通电阻和高可靠性，成为许多低功耗、紧凑型设计的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DFN1006-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN2600UFB-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 70.13pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.85nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 350 毫欧 @ 200mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006（1.0x0.6） |
| 其它名称 | DMN2600UFB-7DI |
| 功率-最大值 | 540mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-UFDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.3A （Ta） |
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