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  • 型号: FQA62N25C
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQA62N25C产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQA62N25C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA62N25C价格参考¥14.86-¥14.86。Fairchild SemiconductorFQA62N25C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 250V 62A(Tc) 298W(Tc) TO-3PN。您可以下载FQA62N25C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQA62N25C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQA62N25C 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该器件具有以下关键特性:250V 的最大漏源电压 (VDS)、62A 的最大连续漏极电流 (ID) 和低导通电阻 (RDS(on))。基于这些特性,FQA62N25C 适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下几个方面:

1. 开关电源 (SMPS)  
   FQA62N25C 的高电压和大电流能力使其非常适合用作开关电源中的功率开关。它能够高效地处理直流-直流转换器(如降压或升压转换器)中的高频开关操作,同时保持较低的传导损耗。

2. 电机驱动  
   在电机控制电路中,FQA62N25C 可以作为功率级的一部分,用于驱动直流无刷电机 (BLDC) 或步进电机。其低 RDS(on) 特性有助于减少电机运行时的功耗和发热。

3. 逆变器  
   该器件适用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器系统中,用于将直流电转换为交流电。其快速开关特性和耐用性确保了高效的能量转换。

4. 负载切换  
   在需要频繁开启或关闭高电流负载的应用中(例如汽车电子设备或工业控制系统),FQA62N25C 能够提供可靠的负载切换功能,同时减少能量损失。

5. 电池管理系统 (BMS)  
   FQA62N25C 可用于保护电池组免受过流或短路的影响。通过充当电池组的主开关,它可以迅速切断异常电流路径,从而提高系统的安全性和可靠性。

6. 照明系统  
   在 LED 照明应用中,该 MOSFET 可用于驱动高功率 LED 或作为恒流源的一部分,确保灯光亮度稳定且能耗低。

7. 消费电子产品  
   该器件还可应用于各种消费类电子产品中,例如电视、音响系统和家用电器,用于功率管理和信号调节。

总之,FQA62N25C 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛适用于需要高效功率转换和控制的各种场景,特别是在高电压、大电流条件下表现优异。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 250V 62A TO-3PMOSFET 250V N-Channel Adv Q-FET C-Series

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

62 A

Id-连续漏极电流

62 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQA62N25CQFET®

数据手册

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产品型号

FQA62N25C

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

298 W

Pd-功率耗散

298 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

35 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

35 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

250 V

Vds-漏源极击穿电压

250 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

395 ns

下降时间

335 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6280pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

130nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

35 毫欧 @ 31A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-3PN

其它名称

FQA62N25C-ND
FQA62N25CFS

典型关闭延迟时间

245 ns

功率-最大值

298W

包装

管件

单位重量

6.401 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-3PN-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

55 S

漏源极电压(Vdss)

250V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

62A (Tc)

系列

FQA62N25C

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQA62N25C_NL

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