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型号： BSP300H6327XUSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSP300H6327XUSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP300H6327XUSA1价格参考。InfineonBSP300H6327XUSA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 800V 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4。您可以下载BSP300H6327XUSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP300H6327XUSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌）的BSP300H6327XUSA1是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的FET/MOSFET单管类别。该器件采用先进的Trenchstop技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和优异的热性能，适用于高电流、高效率的电源管理场景。

典型应用场景包括：  
1. 汽车电子系统：广泛用于车载电源管理模块，如车灯控制、电机驱动（车窗、风扇、雨刷等）、DC-DC转换器等，因其符合AEC-Q101汽车级认证，具备高可靠性与温度耐受性。  
2. 工业电源：在开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和工业电机控制中，作为高效开关元件，实现低功耗和高能效。  
3. 消费类电子产品：用于笔记本电脑、显示器等设备的电压调节模块（VRM）或负载开关电路。  
4. 照明系统：支持LED驱动电源设计，尤其在需要恒流控制和高效率转换的场合表现优异。  

BSP300H6327XUSA1采用PG-HSOF-8-1封装，便于表面贴装，节省PCB空间，适合自动化生产。其优化的栅极电荷和开关特性有助于降低开关损耗，提升整体系统效率。综合来看，该MOSFET特别适用于对能效、可靠性和空间布局有较高要求的中高功率应用环境。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
ChannelMode	Enhancement
Id-ContinuousDrainCurrent	0.19 A
Id-连续漏极电流	190 mA
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET SIPMOS Sm-Signal 800V 20Ohm 400mA
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP300H6327XUSA1
产品型号	BSP300H6327XUSA1
Pd-PowerDissipation	1.8 W
Pd-功率耗散	1.8 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	15 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	15 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	800 V
Vds-漏源极击穿电压	800 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
上升时间	16 ns
下降时间	21 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	27 ns
商标	Infineon Technologies
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	15 Ohms
封装	Reel
封装/箱体	SOT-223-3
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
正向跨导-最小值	0.06 S
汲极/源极击穿电压	800 V
漏极连续电流	0.19 A
系列	BSP300
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	SP001058720