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  • 型号: MTB30P06VT4
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MTB30P06VT4由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB30P06VT4价格参考。ON SemiconductorMTB30P06VT4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTB30P06VT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTB30P06VT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTB30P06VT4 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的高效电源管理,尤其适合低电压、中高电流的应用环境。

2. 电机控制:用于电机驱动电路中,作为功率开关控制电机的启停和方向切换,适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。

3. 汽车电子:由于其良好的稳定性和可靠性,MTB30P06VT4 常用于汽车中的辅助电源系统、照明控制及车载充电系统等场景。

4. 工业控制:在工业自动化系统中,该器件可用于PLC模块、传感器供电控制及继电器替代方案,实现快速开关和低功耗设计。

5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑、智能家电等设备中的电源开关和负载管理电路。

该MOSFET采用T3-PAK封装,具备较强的散热能力和较高的电流承载能力,适合需要高效能与高稳定性的应用环境。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MTB30P06VT4

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2190pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

80nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

80 毫欧 @ 15A,10V

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

MTB30P06VT4OS

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

800

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Tc)

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