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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MTB30P06VT4由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB30P06VT4价格参考。ON SemiconductorMTB30P06VT4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTB30P06VT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTB30P06VT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTB30P06VT4 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的高效电源管理,尤其适合低电压、中高电流的应用环境。 2. 电机控制:用于电机驱动电路中,作为功率开关控制电机的启停和方向切换,适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。 3. 汽车电子:由于其良好的稳定性和可靠性,MTB30P06VT4 常用于汽车中的辅助电源系统、照明控制及车载充电系统等场景。 4. 工业控制:在工业自动化系统中,该器件可用于PLC模块、传感器供电控制及继电器替代方案,实现快速开关和低功耗设计。 5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑、智能家电等设备中的电源开关和负载管理电路。 该MOSFET采用T3-PAK封装,具备较强的散热能力和较高的电流承载能力,适合需要高效能与高稳定性的应用环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MTB30P06VT4 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2190pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 80 毫欧 @ 15A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | MTB30P06VT4OS |
功率-最大值 | 3W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Tc) |