Datasheet下载- 型号： DMG3418L-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG3418L-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG3418L-7价格参考。Diodes Inc.DMG3418L-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMG3418L-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG3418L-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMG3418L-7是一款单N沟道增强型MOSFET，适用于多种电源管理和开关应用。其主要特点包括低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，广泛应用于以下场景： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、电源开关和负载管理，提升能效和系统稳定性。 2. 电机驱动：在小型电机或步进电机控制电路中作为高效开关元件。 3. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板和便携式仪器，用于延长电池续航时间。 4. 工业控制：在PLC、传感器模块和自动化设备中实现快速信号切换与功率控制。 5. 消费电子：用于手机充电电路、LED背光调节及电源适配器中。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性和耐用性，满足工业级温度范围需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | DMG3418L-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 464.3pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 4A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | DMG3418L-7DIDKR |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
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