Datasheet下载- 型号： BUK9Y7R2-60E,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9Y7R2-60E,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9Y7R2-60E,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK9Y7R2-60E,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK9Y7R2-60E,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9Y7R2-60E,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK9Y7R2-60E,115 是一款功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻和高效率特性。该器件广泛应用于需要高效能功率管理的电子系统中。 主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关等，因其低导通电阻（Rds(on)）可降低功率损耗，提高能效。 2. 电机控制：用于电动工具、风扇、泵等电机驱动电路中，实现对电机速度和方向的高效控制。 3. 汽车电子：适用于车载电源系统、LED 照明驱动、车载充电器等场景，满足汽车应用中对可靠性和效率的高要求。 4. 工业自动化：用于PLC、工业电机控制和继电器替代方案，提供更稳定和耐用的开关解决方案。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、电源适配器、智能家电等，用于高效能电源管理模块。 该器件采用 TSO-8 封装，具备良好的热性能和空间效率，适合高密度电路设计。其 60V 的漏源电压（Vds）和高电流承载能力，使其在中高功率应用中表现优异。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 56LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK9Y7R2-60E,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-11428-6 |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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