ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > IRG4BC20UD-STRL
Datasheet下载- 型号： IRG4BC20UD-STRL
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4BC20UD-STRL由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4BC20UD-STRL价格参考。International RectifierIRG4BC20UD-STRL封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 600V 13A 60W Surface Mount D2PAK。您可以下载IRG4BC20UD-STRL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRG4BC20UD-STRL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的型号为IRG4BC20UD-STRL的晶体管属于MOSFET - 单类型，具体分类为超低功耗沟道MOSFET（UGBT）。该器件的主要应用场景如下： 1. 消费电子设备：适用于便携式电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理模块。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合电池供电设备的高效电源转换。 2. 直流-直流转换器：在DC-DC转换器中用作开关元件，能够实现高效的电压调节。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以减少功率损耗，提高整体效率。 3. 电机驱动：用于小型电机驱动电路，例如风扇、泵或玩具电机等。该MOSFET能够提供快速响应和精确控制，同时保持较低的能耗。 4. 电源管理：广泛应用于各种电源管理系统，包括充电器、适配器和不间断电源（UPS）。它支持高频率操作，有助于减小磁性元件尺寸并优化空间利用率。 5. 负载切换与保护：作为负载开关使用，在系统启动/关闭时保护其他敏感组件免受电流冲击影响；也可用于过流保护及短路防护设计。 6. 信号放大与处理：在某些音频放大器或其他模拟信号处理应用中充当放大或缓冲角色。 总之，IRG4BC20UD-STRL凭借其优异的电气性能和紧凑封装形式，成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 39ns/93ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 52A |
| 描述 | IGBT 600V 13A 60W D2PAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 27nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRG4BC20UD-STRL |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 160µJ （开）， 130µJ （关） |
| TestCondition | 480V, 6.5A, 50 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V，6.5A |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRG4BC20UDSTRL |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 37ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 13A |
| 输入类型 | 标准 |
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