ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > NSS60601MZ4T1G
Datasheet下载- 型号： NSS60601MZ4T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS60601MZ4T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS60601MZ4T1G价格参考。ON SemiconductorNSS60601MZ4T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 6A 100MHz 800mW 表面贴装 SOT-223。您可以下载NSS60601MZ4T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSS60601MZ4T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSS60601MZ4T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23封装，具有低电压、低电流特性，适用于小型化、高密度的电子电路设计。该器件主要用于信号放大和开关应用。 典型应用场景包括：便携式消费类电子产品中的逻辑信号切换，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与接口控制；在无线通信模块中用于射频信号的小信号放大或控制电路中的开关功能；工业控制和家用电器中的传感器信号调理电路，例如温度、光敏或接近传感器的信号放大与驱动；还可用于LED驱动电路，实现低功耗指示灯或背光控制。 由于其高增益、快速开关响应和低饱和压降特性，NSS60601MZ4T1G在需要高效能与节能的场合表现优异。同时，该器件符合RoHS环保要求，并具备良好的热稳定性和可靠性，适合自动化贴片生产，广泛应用于对空间和功耗敏感的现代电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 6A 60V SOT-223两极晶体管 - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT) |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS60601MZ4T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSS60601MZ4T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 600mA，6A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1A，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | NSS60601MZ4T1G-ND |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 |
| 系列 | NSS60601MZ4 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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