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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC114TT,235由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC114TT,235价格参考¥0.06-¥0.06。NXP SemiconductorsPDTC114TT,235封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载PDTC114TT,235参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC114TT,235 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC114TT,235 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管(内置偏置电阻的NPN型BJT),属于预偏置晶体管(Digital Transistor, DTR)类别。其内部集成R1=10kΩ(基极上拉)和R2=10kΩ(基极-发射极下拉),具备逻辑电平直接驱动能力,无需外置偏置电阻。 典型应用场景包括: 1. 微控制器I/O口驱动:用于MCU(如ARM、PIC、ESP32等)GPIO直接控制LED指示灯、小型继电器、蜂鸣器或低功耗信号切换; 2. 电平转换与信号开关:在3.3V/5V系统中实现TTL/CMOS电平到更高电压(如12V)负载的接口隔离与开关控制; 3. 数字逻辑缓冲/反相器功能:可构成简易反相开关电路(输入高电平→输出关断,输入低电平→输出导通),常用于电源使能、复位信号整形; 4. 消费电子与家电控制板:如打印机、机顶盒、智能插座中的状态指示、风扇启停、按键扫描辅助电路等; 5. 工业IO模块前端:作为低成本、小体积的输入信号调理或输出驱动单元,适用于对速度要求不高(fT≈250MHz,但典型开关频率<10MHz)、电流≤100mA的场景。 该器件采用SOT23封装,尺寸小、成本低、设计简洁,显著减少PCB面积与BOM数量,适合大批量、高可靠性、空间受限的嵌入式应用。注意其最大集电极电流IC=100mA(DC),功耗较低,不适用于大功率或高频开关场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PDTC114TT,235 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 1mA,5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934034900235 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |