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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTB113ZT,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTB113ZT,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTB113ZT,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载PDTB113ZT,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTB113ZT,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTB113ZT,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管(BJT),内置基极-发射极电阻(R₁=10 kΩ)和基极-集电极反馈电阻(R₂=10 kΩ),属于数字晶体管(Digital Transistor, DTR)类别。其典型应用场景包括: - 逻辑电平接口与信号切换:常用于微控制器(如MCU、GPIO)驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或低功耗负载,无需外置偏置电阻,简化PCB设计并提升可靠性。 - 数字开关电路:在消费电子(如电视遥控器、机顶盒、智能家电)中作为低成本、高集成度的开关元件,实现高低电平控制。 - 输入信号调理与电平转换:适用于将3.3V/5V逻辑信号可靠转换为驱动能力更强的输出,尤其适合噪声环境下的抗干扰开关应用。 - 便携式设备电源管理:因低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA)、小封装(SOT-23)及低功耗特性,广泛用于电池供电设备中的负载使能控制。 该器件符合AEC-Q100标准(车规级可选版本),亦见于工业控制模块与通信终端中,作为状态指示、传感器信号缓冲等基础开关功能的核心元件。其预偏置结构显著降低设计复杂度,提高量产一致性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTB113ZT,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTB113ZT,215 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 70 @ 50mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-11241-1 |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 1 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 500 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTB113ZT T/R |
| 频率-跃迁 | - |