ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FK3303010L
Datasheet下载- 型号： FK3303010L
- 制造商： Panasonic Corporation
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FK3303010L由Panasonic Corporation设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FK3303010L价格参考。Panasonic CorporationFK3303010L封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 100mA（Ta） 100mW（Ta） SSSMini3-F2-B。您可以下载FK3303010L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FK3303010L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Panasonic Electronic Components 旗下的型号 FK3303010L 属于场效应晶体管（FET），具体为MOSFET单管器件。该产品主要应用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。凭借其低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，FK3303010L广泛用于电源管理模块，如DC-DC转换器、电池供电设备中的电压调节系统以及便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和移动电源）的电源开关电路。 此外，该MOSFET适用于电机驱动电路，在小型家电、电动工具及工业控制设备中作为功率开关元件，实现对电机启停和转速的精确控制。在LED照明系统中，FK3303010L可用于恒流驱动设计，提高能效并减少发热。其良好的热稳定性和可靠性也使其适用于车载电子设备，如车载充电器、LED车灯驱动等对环境耐受性要求较高的场景。 由于采用紧凑型表面贴装封装，FK3303010L适合高密度PCB布局，有助于缩小终端产品体积，提升整体设计灵活性。综合来看，该器件适用于消费电子、工业控制、汽车电子及便携式设备中的中低功率开关应用，是一款性能稳定、能效优异的通用型N沟道MOSFET。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100MA SSSMINI3MOSFET SM SIG MOS FET FLT LD 1.2x1.2mm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | PanasonicPanasonic Electronic Components - Semiconductor Products |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Panasonic FK3303010L- |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJE7003+FK330301+8+WW |
| 产品型号 | FK3303010LFK3303010L |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12pF @ 3V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 10mA，4V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SSSMini3-F2-B |
| 其它名称 | FK3303010L-ND |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Panasonic |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 6 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | SSSMini-3-F2-B |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 10,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 100 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA （Ta） |
| 配置 | Single |
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