ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF5803TRPBF
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Datasheet下载- 型号： IRF5803TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF5803TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF5803TRPBF价格参考￥1.04-￥1.13。International RectifierIRF5803TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6™（TSOP-6）。您可以下载IRF5803TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF5803TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF5803TRPBF 是一款N沟道MOSFET，属于高性能功率MOSFET产品系列，广泛应用于需要高效、低导通电阻和小封装尺寸的电源管理场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于同步整流、DC-DC转换器（如降压、升压及升降压拓扑），适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的多相电压调节模块（VRM），提供高效率的电压转换。 2. 电池供电设备：因其低导通电阻（Rds(on)）和低栅极电荷，适合用于便携式电子产品，如移动电源、手持设备和电动工具，有助于降低功耗、延长电池续航时间。 3. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机控制电路中作为开关元件，常见于家电（如风扇、洗衣机）和工业自动化设备中。 4. 负载开关与电源开关：用于控制电源通断，实现热插拔保护、上电时序管理等功能，广泛应用于电信和数据通信系统。 5. LED照明驱动：在恒流LED驱动电路中作为开关管，支持高频PWM调光，提升能效和响应速度。 IRF5803TRPBF 采用先进的沟槽技术，在保持小体积的同时具备优异的热性能和电流处理能力，适合高密度PCB布局。其符合RoHS标准，无铅环保，适用于对可靠性和能效要求较高的工业、消费类及通信领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOPMOSFET MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.4 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.4 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF5803TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF5803TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1110pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 112 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Micro6™（TSOP-6） |
| 其它名称 | IRF5803TRPBFCT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 1.3 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 190 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 25 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 40 V |
| 漏极连续电流 | - 3.4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.4A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf5803.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf5803.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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