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  • 型号: IRFU9110PBF
  • 制造商: Vishay
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IRFU9110PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU9110PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU9110PBF价格参考。VishayIRFU9110PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 100V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA。您可以下载IRFU9110PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU9110PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAKMOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3.1 A

Id-连续漏极电流

3.1 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFU9110PBF-

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产品型号

IRFU9110PBFIRFU9110PBF

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.2 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 100 V

Vds-漏源极击穿电压

- 100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

27 ns

下降时间

17 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

200pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.7nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.2 欧姆 @ 1.9A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-251AA

其它名称

*IRFU9110PBF

典型关闭延迟时间

15 ns

功率-最大值

2.5W

功率耗散

2.5 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

1.2 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

汲极/源极击穿电压

- 100 V

漏极连续电流

3.1 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.1A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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