ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IXTH200N10T
Datasheet下载- 型号： IXTH200N10T
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IXTH200N10T产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH200N10T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH200N10T价格参考。IXYSIXTH200N10T封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 550W（Tc） TO-247（IXTH）。您可以下载IXTH200N10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTH200N10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTH200N10T是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有高电流、低导通电阻和快速开关特性。该器件广泛应用于需要高效功率控制和高可靠性的场合。 主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和开关电源（SMPS），用于高效能电能转换。 2. 电机驱动系统：适用于工业自动化、机器人和电动工具中的电机控制，提供快速响应和稳定输出。 3. 逆变器与变频器：用于UPS不间断电源、太阳能逆变器和变频空调系统中，实现直流到交流的高效转换。 4. 电动汽车相关设备：如车载充电器、电池管理系统（BMS）和电机控制器，支持高电流工作环境。 5. 工业控制与自动化：用于工业电源、高频加热设备和焊接机等，满足高可靠性和高效率要求。 该MOSFET具备良好的热稳定性和耐压能力（100V），适合在高温和高负载条件下运行，是功率电子设计中的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 200A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXTH200N10T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMV™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 152nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.5 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247 （IXTH） |
| 功率-最大值 | 550W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 200A （Tc） |
