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产品简介:
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MMSF3P02HDR2 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道增强型MOSFET,常用于低电压、中等功率的开关应用。该器件具有低导通电阻、小封装、高可靠性的特点,适用于对空间和效率有要求的电路设计。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备中的电源控制。 2. 电机驱动:用于小型电机或步进电机的控制电路中,作为开关元件。 3. 负载开关与热插拔控制:在服务器、通信设备中控制电源的通断,防止电流冲击。 4. 工业控制:如PLC模块、传感器电源控制、继电器替代方案。 5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、穿戴设备中的电源切换电路。 该MOSFET采用SOT-23封装,适合高密度PCB布局,适用于需要节能和高效能的便携式设备和工业应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMSF3P02HDR2 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 75 毫欧 @ 3A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | MMSF3P02HDR2OSCT |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.6A (Ta) |