Datasheet下载- 型号： IRFIBE30GPBF
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFIBE30GPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFIBE30GPBF价格参考￥7.87-￥9.12。VishayIRFIBE30GPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFIBE30GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFIBE30GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFIBE30GPBF 是 Vishay Siliconix（现为 Vishay Microelectronics）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、高可靠性的电源管理系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器，用于高效能电源管理模块中，实现电压升降压功能。 2. 电机控制：在电动工具、工业自动化设备、机器人系统中，作为电机驱动电路中的开关元件，具有快速响应和低导通电阻的优点。 3. 电池管理系统：用于电动车、储能系统或便携式设备中，控制电池充放电路径，提高系统安全性与效率。 4. 负载开关：在服务器、计算机主板、工业控制系统中作为高侧或低侧负载开关，用于控制电源通断，实现节能或保护功能。 5. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，作为高频开关元件，提高能量转换效率。 该MOSFET具有高耐压、低导通电阻、耐高温和封装小巧等特点，适用于多种高频率、高效率的开关应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FPMOSFET N-Chan 800V 2.1 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.1 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFIBE30GPBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91184 |
| 产品型号 | IRFIBE30GPBFIRFIBE30GPBF |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 33 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 1.3A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | *IRFIBE30GPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 82 ns |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.1A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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