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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR812TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR812TRPBF价格参考。International RectifierIRFR812TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR812TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR812TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)旗下的IRFR812TRPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效、高速开关性能的电力电子系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,适用于笔记本电脑、服务器、通信设备等的电源模块。 2. 负载开关与电源分配:用于控制电源通断,适用于电池管理系统、智能电表、工业控制设备。 3. 电机控制:常见于无刷直流电机(BLDC)驱动、电动工具、风扇控制等场景,提供快速响应与高效能切换。 4. 照明系统:如LED驱动电路,支持高频率调光和稳定电流控制。 5. 汽车电子:如车载充电系统、车身控制模块(BCM)等,满足汽车环境对可靠性和稳定性的要求。 IRFR812TRPBF采用TO-252封装,具备低导通电阻(Rds(on))、高耐压(最大600V)和良好热性能,适合中高功率应用。其表面贴装设计有助于节省PCB空间并简化生产流程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAKMOSFET 500V 3.5A 2.2Ohm MotIRFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.6 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR812TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR812TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 78 W |
| Pd-功率耗散 | 78 W |
| Qg-GateCharge | 20 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.85 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.85 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 810pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.2 欧姆 @ 2.2A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRFR812TRPBFCT |
| 功率-最大值 | 78W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.6A (Tc) |
| 配置 | Single |