ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > NTD2955G
Datasheet下载- 型号： NTD2955G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD2955G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD2955G价格参考。ON SemiconductorNTD2955G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 12A（Ta） 55W（Tj） DPAK。您可以下载NTD2955G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD2955G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD2955G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - NTD2955G 常用于开关电源的设计中，作为主开关管或同步整流管。其低导通电阻 (Rds(on)) 和高电流能力使其适合高效能的 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器。 - 应用场景包括笔记本电脑适配器、手机充电器和其他消费电子设备的电源模块。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中，NTD2955G 可用作驱动电路中的开关元件。例如，它适用于无刷直流电机 (BLDC) 的控制电路、风扇电机驱动以及家用电器中的电机控制。 - 其快速开关特性和较低的功耗有助于提高电机驱动系统的效率。 3. 负载开关 - 在便携式设备中，NTD2955G 可作为负载开关使用，用于动态管理不同电路模块的供电状态，从而降低功耗并延长电池寿命。 - 常见于智能手机、平板电脑和物联网 (IoT) 设备中。 4. 电池保护与管理 - 该 MOSFET 可用于电池组的保护电路中，防止过流、短路或反向连接等问题。其低导通电阻有助于减少电池放电时的电压降。 - 广泛应用于锂离子电池组、电动工具电池和 UPS 系统。 5. 汽车电子 - 在汽车电子领域，NTD2955G 可用于车身控制模块 (BCM)、LED 照明驱动、电动车窗控制等应用。其耐高温特性和可靠性满足汽车环境的要求。 - 还可用于辅助驾驶系统 (ADAS) 中的某些低功率控制电路。 6. 信号放大与缓冲 - 在一些低频信号处理电路中，NTD2955G 可用作信号放大或缓冲的开关元件，确保信号传输的稳定性和完整性。 总结 NTD2955G 的典型应用场景集中在需要高效能开关、低功耗和高可靠性的领域，如消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备。其出色的电气性能和紧凑的封装形式（TO-252/DPAK）使其成为许多设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 12A DPAKMOSFET -60V -12A P-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 12 A |
| Id-连续漏极电流 | - 12 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD2955G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD2955G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 55 W |
| Pd-功率耗散 | 55 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 155 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 155 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 下降时间 | 48 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NTD2955G-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 55W |
| 功率耗散 | 55 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 155 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
| 漏极连续电流 | - 12 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
| 系列 | NTD2955 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
.jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
