图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: FQB33N10LTM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

FQB33N10LTM产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQB33N10LTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB33N10LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB33N10LTM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 33A(Tc) 3.75W(Ta),127W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载FQB33N10LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB33N10LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQB33N10LTM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。其应用场景广泛,适用于多种电子系统和电路设计,以下是一些典型的应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:作为开关元件用于降压或升压转换器中,提供高效的功率传输。
   - 负载开关:用于动态控制负载的通断,减少待机功耗。
   - 电池管理:在电池充电和放电过程中起到保护和控制作用。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:用于启动、停止和调速等操作。
   - H 桥电路:与其他 MOSFET 配合使用,实现电机正转和反转功能。

 3. 信号切换
   - 信号隔离与切换:在需要快速切换信号路径的场合,例如音频信号切换或数据通信线路切换。
   - 继电器替代:利用其低导通电阻和快速开关特性,取代传统机械继电器。

 4. 工业自动化
   - 传感器接口:用于驱动或保护传感器电路。
   - 工业控制:在 PLC(可编程逻辑控制器)和其他工业设备中用作功率开关。

 5. 消费电子
   - 笔记本电脑和智能手机充电器:作为同步整流器或开关元件,提高效率并降低热量。
   - LED 驱动:用于调节 LED 电流以实现亮度控制。

 6. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车窗升降器、座椅调节器等的小功率电机驱动。
   - 照明系统:用于控制车内和外部 LED 灯光。

 7. 通信设备
   - 电源适配器:为通信基站或其他设备提供稳定电源输出。
   - 信号放大器:在射频和微波电路中作为开关或放大元件。

FQB33N10LTM 的优势在于其低导通电阻(Rds(on))、高开关速度以及良好的热性能,使其非常适合对效率和可靠性要求较高的应用环境。同时,它的小型封装也便于在紧凑型设计中使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAKMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

33 A

Id-连续漏极电流

33 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB33N10LTMQFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FQB33N10LTM

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

3.75 W

Pd-功率耗散

3.75 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

52 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

52 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

470 ns

下降时间

120 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1630pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

40nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

52 毫欧 @ 16.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263-2

其它名称

FQB33N10LTMDKR

典型关闭延迟时间

70 ns

功率-最大值

3.75W

包装

Digi-Reel®

单位重量

1.312 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

27 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

33A (Tc)

系列

FQB33N10

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQB33N10LTM_NL

推荐商品

型号:SIA418DJ-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRF530A

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:HUF75639S3ST

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:MTP12P10G

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRFS4227TRLPBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRF1310NSTRLPBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:AUIRFR4105ZTRL

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:FDH3632

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
FQB33N10LTM 相关产品

IXTH30N50L

品牌:IXYS

价格:

IRFU3710Z

品牌:Infineon Technologies

价格:

IRF640STRLPBF

品牌:Vishay Siliconix

价格:

IRFR9310TRL

品牌:Vishay Siliconix

价格:

FDMC7672

品牌:ON Semiconductor

价格:

IRL7833STRRPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

NTMFS4933NT3G

品牌:ON Semiconductor

价格:

STB23NM50N

品牌:STMicroelectronics

价格: