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FQB33N10LTM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB33N10LTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB33N10LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB33N10LTM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 33A(Tc) 3.75W(Ta),127W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载FQB33N10LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB33N10LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB33N10LTM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。其应用场景广泛,适用于多种电子系统和电路设计,以下是一些典型的应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:作为开关元件用于降压或升压转换器中,提供高效的功率传输。 - 负载开关:用于动态控制负载的通断,减少待机功耗。 - 电池管理:在电池充电和放电过程中起到保护和控制作用。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:用于启动、停止和调速等操作。 - H 桥电路:与其他 MOSFET 配合使用,实现电机正转和反转功能。 3. 信号切换 - 信号隔离与切换:在需要快速切换信号路径的场合,例如音频信号切换或数据通信线路切换。 - 继电器替代:利用其低导通电阻和快速开关特性,取代传统机械继电器。 4. 工业自动化 - 传感器接口:用于驱动或保护传感器电路。 - 工业控制:在 PLC(可编程逻辑控制器)和其他工业设备中用作功率开关。 5. 消费电子 - 笔记本电脑和智能手机充电器:作为同步整流器或开关元件,提高效率并降低热量。 - LED 驱动:用于调节 LED 电流以实现亮度控制。 6. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、座椅调节器等的小功率电机驱动。 - 照明系统:用于控制车内和外部 LED 灯光。 7. 通信设备 - 电源适配器:为通信基站或其他设备提供稳定电源输出。 - 信号放大器:在射频和微波电路中作为开关或放大元件。 FQB33N10LTM 的优势在于其低导通电阻(Rds(on))、高开关速度以及良好的热性能,使其非常适合对效率和可靠性要求较高的应用环境。同时,它的小型封装也便于在紧凑型设计中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAKMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
Id-连续漏极电流 | 33 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB33N10LTMQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQB33N10LTM |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 3.75 W |
Pd-功率耗散 | 3.75 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 52 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 52 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 470 ns |
下降时间 | 120 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1630pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 52 毫欧 @ 16.5A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-263-2 |
其它名称 | FQB33N10LTMDKR |
典型关闭延迟时间 | 70 ns |
功率-最大值 | 3.75W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 1.312 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 27 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 33A (Tc) |
系列 | FQB33N10 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQB33N10LTM_NL |